Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках

Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлек тризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующи...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Войтенко, А.И., Габович, А.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117550
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках / А.И. Войтенко, А.М. Габович // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1300–1311. — Бібліогр.: 68 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-117550
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1175502017-05-25T03:03:11Z Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках Войтенко, А.И. Габович, А.М. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлек тризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующие угловые диаграммы распределения щелей на поверхности Ферми. Разработанная теория применяется для объяснения свойств высокотемпературных оксидов. Проанализировано влияние угла рассогласования между лепестками параметров порядка Σ и Δ на распределение щелей в импульсном пространстве и на явление реентранса Σ по температуре. Запропоновано самоузгоджену теорію, що описує хвилі зарядової щільності в частково діелектризованому надпровіднику з d-спарюванням. Розглянуто залежності діелектричного (Σ) і надпровідного (Δ) параметрів порядку від температури й інших параметрів задачі. Уперше побудовано відповідні кутові діаграми розподілу щілин на поверхні Фермі. Розроблена теорія застосовується для пояснення властивостей високотемпературних оксидів. Проаналізовано вплив кута неузгодженості між пелюстками параметрів порядку Σ и Δ на розподіл щілин в імпульсному просторі й на явище реентранса Σ по температурі. A self-consistent theory that describes charge density waves in a partially dielectrically gapped superconductor with d-pairing is proposed. The dependences of dielectric, Σ , and superconducting, Δ, order parameters on temperature and other problem parameters are considered. The corresponding angular diagrams for gap distribution over the Fermi surface are plotted for the first time. The theory is used to explane the properties of high-temperature oxides. The influence of mismatch angle between the lobes of order parameters Σ and Δ on gap distribution in the momentum space and on the reentrance phenomenon for Σ with respect to temperature is analyzed. 2010 Article Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках / А.И. Войтенко, А.М. Габович // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1300–1311. — Бібліогр.: 68 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.–z, 74.20.Rp, 71.45.Lr, 74.72.–h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117550 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
spellingShingle	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Войтенко, А.И. Габович, А.М. Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках Физика низких температур
description	Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлек тризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующие угловые диаграммы распределения щелей на поверхности Ферми. Разработанная теория применяется для объяснения свойств высокотемпературных оксидов. Проанализировано влияние угла рассогласования между лепестками параметров порядка Σ и Δ на распределение щелей в импульсном пространстве и на явление реентранса Σ по температуре.
format	Article
author	Войтенко, А.И. Габович, А.М.
author_facet	Войтенко, А.И. Габович, А.М.
author_sort	Войтенко, А.И.
title	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
title_short	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
title_full	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
title_fullStr	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
title_full_unstemmed	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
title_sort	волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2010
topic_facet	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117550
citation_txt	Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках / А.И. Войтенко, А.М. Габович // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1300–1311. — Бібліогр.: 68 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT vojtenkoai volnyzarâdovojplotnostivdvolnovyhsverhprovodnikah AT gabovičam volnyzarâdovojplotnostivdvolnovyhsverhprovodnikah
first_indexed	2023-10-18T20:30:03Z
last_indexed	2023-10-18T20:30:03Z
_version_	1796150364036136960

Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках

Репозитарії

Схожі ресурси