Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
Properties of crystalline silicon under acoustic cavitation have been investigated. The cavitation impact was initiated by focusing a high-frequency (1– 6 MHz) acoustic wave in liquid nitrogen. AFM, optical and scanning electron microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117600 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact / R.K. Savkina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 1. — С. 43-47. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |