Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As₂S(Se)₃ chalcogenide glasses
Revised in this work is the correlation equation Q₁ = 2.3×π/D in the FSDPrelated void-based model for As₂S(Se)₃ chalcogenide glasses between the first sharp diffraction peak (FSDP) position, Q₁, and nanovoid diameter, D, are modified to be presented in the form of Q₁ = 1.75×π/D, taking into ac...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117682 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for As₂S(Se)₃ chalcogenide glasses / T.S. Kavetskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 136-139. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |