Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma

• Дата: 2013
• Автори: Yasunas, A., Kotov, D., Shiripov, V., Radzionay, U.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117696
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma / A. Yasunas, D. Kotov, V. Shiripov, U. Radzionay // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 2. — С. 216-219. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

One of the basic operations in the LED (light-emitting diode) chip fabrication technique is formation of dielectric coatings for the purpose of insulation and surface passivation of the LED structure. Oxides and nitrides of silicon obtained by physical or chemical vapor deposition techniques can...