Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities
The investigation shows that the specific conductivity of Mo sharply decreases exponentially under the temperature influence within the range from ~20 to ~60 K or under the Re impurity influence in the concentration range up to 3 4 at.% and then transforms into the power dependence. Noted th...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117801 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Partial dielectric behavior of the Mo electron spectrum as an effect of Van Hove singularities / Т.А. Ignatyeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 482-488. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!