High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers

• Дата: 2003
• Автори: Kiv, A.E., Maksymova, T.I., Moiseenko, N.V., Soloviev, V.N.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117867
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers / A.E. Kiv, T.I. Maksymova, N.V. Moiseenko, V.N. Soloviev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Molecular Dynamics (MD) simulation of Si (001) surface layers was performed. In the modified algorithm of MD the potential is corrected on each step of calculation. The corrections account the re-hybridization of chemical bonds in relaxation processes. It was found that the high-temperature relaxati...