Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах

• Дата: 2012
• Автори: Григорьев, А.Д., Григорьев, П.Д., Дюгаев, А.М., Крутов, А.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: К 75-летию Л.П. Межова-Деглина
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117908
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Оценка времени испарения сюрфонов с поверхности жидкого гелия из-за рассеяния на риплонах / А.Д. Григорьев, П.Д. Григорьев, А.М. Дюгаев, А.Ф. Крутов // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 11. — С. 1274–1283. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Недавно предложенный новый тип поверхностных возбуждений — атомы на квантовом поверхностном уровне, названные сюрфонами, — позволяет объяснить сильную температурную зависимость коэффициента поверхностного натяжения жидкого гелия. Теоретически исследовано взаимодействие этих возбуждений с квантами поверхностных волн — риплонами. Получена оценка времени жизни сюрфона по основному каналу распада — испарению с поверхности из-за поглощения риплона. Это время жизни сюрфона оказывается значительно больше периода его квантовых колебаний (обратной энергии сюрфона), что подтверждает существование сюрфонов как квазичастиц.