Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications
A purpose of the paper is to give a review of recent development (1998-1999) in microelectromechanical (MEMS) devices formed on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Advantages of using SOI are summarised. Problems of CMOS-MEMS integration for smart sensors are listed. Examples of successful use of...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автори: | Usenko, A.Y., Carr, W.N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117927 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications / A.Y. Usenko, W.N. Carr // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 93-97. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Microelectromechanical sistems in medicine
за авторством: V. N. Shoffa, та інші
Опубліковано: (2016) -
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998) -
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013) -
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
ONLINE TECHNOLOGICAL MONITORING OF INSULATION DEFECTS IN ENAMELED WIRES
за авторством: Zolotaryov, V. M., та інші
Опубліковано: (2017)