Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications

A purpose of the paper is to give a review of recent development (1998-1999) in microelectromechanical (MEMS) devices formed on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Advantages of using SOI are summarised. Problems of CMOS-MEMS integration for smart sensors are listed. Examples of successful use of...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Usenko, A.Y., Carr, W.N.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117927
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Silicon-on-insulator technology for microelectromechanical applications / A.Y. Usenko, W.N. Carr // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 93-97. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси