Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия

Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия

Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости электронного криста...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Славин, В.В., Кривчиков, A.A.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117968
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия / В.В. Славин, A.A. Кривчиков // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 12. — С. 1390–1394 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-117968
record_format dspace
spelling irk-123456789-1179682017-05-28T03:05:10Z Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия Славин, В.В. Кривчиков, A.A. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости электронного кристалла как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой «недокомпенсации» внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основе предложенной модели дается объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия. Описано механізм порушення стійкості електронного кристалу над поверхнею рідкого гелію у притискуючих електричних полях, які менші, ніж поле повної компенсації заряду. В рамках одноелектронної моделі та квазікласичного приближення отримано залежність параметра стійкості електронного кристалу як функції зовнішнього притискуючого поля. Показано, що при скільки завгодно слабкої «недокомпенсації» зовнішнього поля електрони вирушають з поверхні гелію як термоактиваційним шляхом, так і за допомогою тунелювання. Внесок тунелювання різко зростає при збільшенні концентрації електронів. На підставі запропонованої моделі дається пояснення експериментальних результатів, що були отримані при вимірюванні електричних властивостей електронного кристалу над поверхнею рідкого гелію. A mechanism of stability disturbance is described for the electron crystals over liquid helium in confining electric fields that are less than the field of total charge compensation. The dependence of stability parameter as a function of confining electric fields is obtained in the framework of single-particle model and in the quasi-classical approximation. It is shown that for arbitrarily small «undercompensation» of the electric filed the electrons evaporate from the helium surface both by thermal activation and by tunneling. The contribution of the tunneling process increases rapidly with electron concentration. The experimental data on electric properties of electron crystal over helium surface are explained with the use of the proposed model. 2012 Article Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия / В.В. Славин, A.A. Кривчиков // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 12. — С. 1390–1394 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.–z, 67.90.+z http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117968 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
spellingShingle Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Славин, В.В.
Кривчиков, A.A.
Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
Физика низких температур
description Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости электронного кристалла как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой «недокомпенсации» внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основе предложенной модели дается объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия.
format Article
author Славин, В.В.
Кривчиков, A.A.
author_facet Славин, В.В.
Кривчиков, A.A.
author_sort Славин, В.В.
title Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
title_short Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
title_full Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
title_fullStr Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
title_full_unstemmed Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
title_sort влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2012
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117968
citation_txt Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия / В.В. Славин, A.A. Кривчиков // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 12. — С. 1390–1394 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT slavinvv vliânieprižimaûŝegopotencialanaustojčivostʹélektronnogokristallanadpoverhnostʹûžidkogogeliâ
AT krivčikovaa vliânieprižimaûŝegopotencialanaustojčivostʹélektronnogokristallanadpoverhnostʹûžidkogogeliâ
first_indexed 2023-10-18T20:31:01Z
last_indexed 2023-10-18T20:31:01Z
_version_ 1796150405960302592

Схожі ресурси