Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium
Electroreflectance spectra of chemically etched (110) surface of intrinsic germanium are measured in the range of E₁, E₁ + Δ₁ transitions for ||[100] and ||[10] directions of the polarization vector. Separated are isotropic (surface) and anisotropic (bulk) electroreflectance components. The spectrum...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117992 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium / P.A. Gentsar, L.A. Matveeva, A.A. Kudryavtsev, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 141-146. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |