Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
We have studied theoretically the combined effect of quantum confinement and "dielectric enhancement" on the characteristics of the exciton ground state in quasi-1D silicon nanowires. Consideration has been made within effective mass and classical image force approximations. As a result, e...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | Korbutyak, D.V., Kryuchenko, Yu.V., Kupchak, I.M., Sachenko, A.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118013 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires / D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, I.M. Kupchak, A.V. Sachenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 172-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Excitons and trions in spherical semiconductor quantum dots
за авторством: Kupchak, I.M., та інші
Опубліковано: (2006) -
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Parametrized Equations for Excitons in Quantum Wires
за авторством: El Haddad, A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Excitonic emission of hybrid nanosystem "spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle"
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)