Regularities of visible photoluminescence creation in low-dimensional silicon structures
The evolution of time-resolved photoluminescence (PL) spectra in Au-doped nanocrystalline silicon films produced by laser ablation has been studied. The PL spectra with a relaxation time of nanoseconds are broad; they lie in the energy range 1.4-3.2 eV with a peak at 2.4-2.8 eV. At the longest times...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118034 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Regularities of visible photoluminescence creation in low-dimensional silicon structures / E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 303-306. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |