Atomic defects and physical-chemical properties of PbTe-InTe solid solutions
Crystal-quasichemical equations of probable mechanisms inherent to formation of solid solutions based on lead telluride of the n-type in PbTe-InTe system are offered. Shown is the possibility to satisfactorily explain experimental results by filling with indium atoms In⁺² <--> In⁺¹ In⁺³ (up t...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118073 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Atomic defects and physical-chemical properties of PbTe-InTe solid solutions / D.M. Freik, V.I. Boychuk, L.I. Mezhylovsjka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 454-457. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |