Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Вальков, В.В., Аксенов, С.В., Уланов, Е.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118095
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118095
record_format dspace
spelling irk-123456789-1180952017-05-29T03:03:43Z Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь Вальков, В.В. Аксенов, С.В. Уланов, Е.А. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе. В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі. The calculation of single magnetic impurity’s transport characteristics has showed that presence of different effective channels for electron transmission results the Fano effect. It was noticed the external magnetic field and gate voltage allow to control of conducting properties which are specified by the configuration interaction between states of the system. 2013 Article Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 75.76.+j, 72.25.–b, 85.75.–d http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118095 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
Физика низких температур
description В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.
format Article
author Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
author_facet Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
author_sort Вальков, В.В.
title Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_short Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_full Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_fullStr Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_full_unstemmed Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_sort эффект фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2013
topic_facet XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118095
citation_txt Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT valʹkovvv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
AT aksenovsv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
AT ulanovea éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
first_indexed 2023-10-18T20:31:19Z
last_indexed 2023-10-18T20:31:19Z
_version_ 1796150419516293120

Схожі ресурси