Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118098 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |