Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
Using the high-pressure spectroscopy, the pressure shifts of the luminescence related to the d-d transitions in transition metal ions and d-f transitions in rare earth ones, which interact with the nearest neighbor host ions of dielectrics, are investigated. The results are obtained for Ti³⁺, Ce³...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автор: | Grinberg, Marek |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118118 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy / Marek Grinberg // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 28-29. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Positron spectroscopy study of structural defects and electronic properties of carbon nanotubes
за авторством: E. A. Tsapko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Numerical investigation of local defectiveness control of diblock copolymer patterns
за авторством: Jeong, D., та інші
Опубліковано: (2016) -
Studies of charging mechanisms in impurity-helium condensates by means of impedance spectroscopy and current spectroscopy
за авторством: Pelmenev, A.A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)