Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2007
• Автори: Red’ko, R., Red’ko, S.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118127
• Цитувати: Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers / R. Red'ko, S. Red'ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 75-76. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

To study the influence of microwave irradiation on a spectrum of defect states in porous InP, we have measured the luminescence spectra within the range 0.50 to 2.04 eV at 77 K before and after short and long (up to 600 s) treatments in air in the operation chamber of a magnetron at a frequency o...