Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием

Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ва...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Скипетров, Е.П., Голованов, А.Н., Слынько, Е.И., Слынько, В.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118134
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием / Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 98–108. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия. Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в Pb₁–yVyTe и сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb₁–x–ySnxVyTe при легировании.