Псевдощелевое состояние и сильное рассеяние носителей тока на локальных спиновых моментах как механизмы появления полупроводниковых свойств почти стехиометрических сплавов железо–ванадий–алюминий

• Дата: 2013
• Автори: Лончаков, А.Т., Марченков, В.В., Окулов, В.И., Окулова, К.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118135
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Псевдощелевое состояние и сильное рассеяние носителей тока на локальных спиновых моментах как механизмы появления полупроводниковых свойств почти стехиометрических сплавов железо–ванадий–алюминий / А.Т. Лончаков, В.В. Марченков, В.И. Окулов, К.А. Окулова // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 109–115. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Получены новые экспериментальные свидетельства для обоснования физической природы полупроводниковых свойств сплавов Fe₂–xV₁+x Al с составами вблизи стехиометрического (x = 0). Исследована низкотемпературная термоэдс двух сплавов характерных составов, в одном из которых, обогащенном ванадием, проявляется существование псевдощели в плотности состояний электронов с энергией Ферми, а в другом, обедненном ванадием, обнаруживается более сильное влияние рассеяния электронов на локализованных спинах. Полученные в экспериментах температурные зависимости термоэдс при низких температурах имеют впервые обнаруженные характерные аномалии, которые, согласно проведенному анализу, отвечают проявлениям упомянутых эффектов. На основе имеющихся теорий выполнена интерпретация аномальных вкладов обоих эффектов (типов), определены характеризующие их параметры и установлены условия их проявления в сплавах, обедненных и обогащенных ванадием. Получены данные по термоэдс в магнитном поле и обнаружено значительное уменьшение термоэдс с ростом напряженности поля, которое подтверждает основную роль механизма рассеяния носителей тока на локализованных моментах.