Fabrication and characterization of ONO and tunnel oxide for 16k FLOTOX EEPROM cell

The EEPROM process is one the hardest process to be developed. The performance of the EEPROM devices is normally judged on the programming speed, which relates to program high (erase) and program low (write) operations. It is essential that the program high and program low speed of the EEPROM cell i...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Hashim, U., Ayub, R.M., On, K.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118146
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Fabrication and characterization of ONO and tunnel oxide for 16k FLOTOX EEPROM cell / U. Hashim, R.M. Ayub, K.S. On // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 112-117. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine