O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений

• Дата: 2008
• Автори: Баранник, А.А., Буняев, С.А., Черпак, Н.Т.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/² для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления остается невыясненной.