O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений

Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сап...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Баранник, А.А., Буняев, С.А., Черпак, Н.Т.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118201
record_format dspace
spelling irk-123456789-1182012017-05-30T03:04:36Z O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/² для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления остается невыясненной. Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку. Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою. The temperature dependence of surface resistance RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate has been measured. The measurements were carried out in the temperature interval from Tc to 2 K by means of a new technique, namely, using a sapphire hemispherical resonator excited with whispering gallery modes in the Ka-band. This technique allows one to achieve high sensitivity of RS(T) measurement, up to 10 &, at low temperatures. A linear dependence was obtained in a temperature interval of 2–15 K, in agreement with the idea of d-wave symmetry of order parameter. The value of Rres=RS(T→0) found in the work shows that the film properties are similar to those of single crystals, and if seems that Rres is determined by intrinsic properties of a superconductor. Analysis of the data published results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single crystals and films, and at the same time the nature of residual microwave resistance remains unclear. 2008 Article O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.Rp;74.25.Nf;74.72,Bk;74.78.Bz;07.57.–c http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
spellingShingle Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Баранник, А.А.
Буняев, С.А.
Черпак, Н.Т.
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
Физика низких температур
description Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/² для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления остается невыясненной.
format Article
author Баранник, А.А.
Буняев, С.А.
Черпак, Н.Т.
author_facet Баранник, А.А.
Буняев, С.А.
Черпак, Н.Т.
author_sort Баранник, А.А.
title O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
title_short O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
title_full O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
title_fullStr O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
title_full_unstemmed O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
title_sort o микроволновом отклике эпитаксиальной пленки yba₂cu₃o₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2008
topic_facet Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201
citation_txt O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT barannikaa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij
AT bunâevsa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij
AT čerpaknt omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij
first_indexed 2023-10-18T20:31:35Z
last_indexed 2023-10-18T20:31:35Z
_version_ 1796150435752443904