O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сап...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-118201 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1182012017-05-30T03:04:36Z O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/² для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления остается невыясненной. Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку. Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою. The temperature dependence of surface resistance RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate has been measured. The measurements were carried out in the temperature interval from Tc to 2 K by means of a new technique, namely, using a sapphire hemispherical resonator excited with whispering gallery modes in the Ka-band. This technique allows one to achieve high sensitivity of RS(T) measurement, up to 10 &, at low temperatures. A linear dependence was obtained in a temperature interval of 2–15 K, in agreement with the idea of d-wave symmetry of order parameter. The value of Rres=RS(T→0) found in the work shows that the film properties are similar to those of single crystals, and if seems that Rres is determined by intrinsic properties of a superconductor. Analysis of the data published results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single crystals and films, and at the same time the nature of residual microwave resistance remains unclear. 2008 Article O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.Rp;74.25.Nf;74.72,Bk;74.78.Bz;07.57.–c http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
spellingShingle |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений Физика низких температур |
description |
Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
остается невыясненной. |
format |
Article |
author |
Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. |
author_facet |
Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. |
author_sort |
Баранник, А.А. |
title |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
title_short |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
title_full |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
title_fullStr |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
title_full_unstemmed |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
title_sort |
o микроволновом отклике эпитаксиальной пленки yba₂cu₃o₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2008 |
topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118201 |
citation_txt |
O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT barannikaa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij AT bunâevsa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij AT čerpaknt omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnojplenkiyba2cu3o7sprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovojtehnikiizmerenij |
first_indexed |
2023-10-18T20:31:35Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:31:35Z |
_version_ |
1796150435752443904 |