Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K
The change in mobility with increasing the temperature which may be due to the inclusion of gLO-phonon energy of 720K, is presented. In orientation of the uniaxial pressure X//[110]//J, g-transitions are attached in the directions [100] and [010]. The ftransitions are not completely removed from...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118279 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K / V.M. Ermakov, V.V. Kolomoets, L.I. Panasyuk , P.F Nazarchuk, L.V. Yashchynskyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 77-79. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |