Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низк...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118300
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118300
record_format dspace
spelling irk-123456789-1183002017-05-30T03:06:20Z Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить від температури. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances are measured as a function of transverse magnetic field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly- coupled double quantum wells in the temperature range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T before and after low-temperature infrared irradiation. The appearance of persistent photoconductivity causes the type of the temperature dependence of resistance to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures. It is shown that this is connected with the temperature dependence of electron density. The strong temperature dependence of electron mobility observed before the illumination practically disappears after infrared irradiation. 2013 Article Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118300 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
spellingShingle Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
Физика низких температур
description Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.
format Article
author Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
author_facet Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
author_sort Гудина, С.В.
title Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_short Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_full Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_fullStr Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_full_unstemmed Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_sort влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-ingaas/gaas с двумя сильно связанными квантовыми ямами
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2013
topic_facet Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118300
citation_txt Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT gudinasv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyjmagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami
AT arapovûg vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyjmagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami
AT neverovvn vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyjmagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami
AT podgornyhsm vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyjmagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami
AT âkuninmv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyjmagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami
first_indexed 2023-10-18T20:31:52Z
last_indexed 2023-10-18T20:31:52Z
_version_ 1796150445725450240

Схожі ресурси