Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction
Narrow-gap mercury cadmium telluride thin films grown by MBE methods onto various substrates (HgCdTe/Si, HgCdTe/GaAs) were investigated as a piezoelectric heterostructure for IR detection. Mechanical stresses at the layer-substrate interface were analyzed. It was determined that for [310] oriente...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2012 |
Автор: | Smirnov, A. B. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118306 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe – based compound heterostructures under the anisotropic deformation restriction/ A. B. Smirnov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 170-175. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Residual stresses and piezoelectric properties of the HgCdTe - based compound heterostructures under anisotropic deformation restriction
за авторством: A. B. Smirnov
Опубліковано: (2012) -
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002) -
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007) -
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017) -
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)