Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures
Electrophysical properties of large-size detector heterostructures based on a αSi-Si(Li) have been investigated in this paper. The results prove that these detector heterostructures are more effective as compared to the structures obtained using the conventional diffusion technique. One can certa...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118318 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures / R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, Yo.K. Toshmurodov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 285-287. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!