Effect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO

• Дата: 2010
• Автори: Venger, E.F., Ievtushenko, A.I., Melnichuk, L.Yu., Melnichuk, O.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118392
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Effect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO / E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 314-320. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Using the attenuated total reflectance technique, we studied the effect of strong uniform magnetic field H on the main properties of surface polaritons in ZnO single crystals. The used orientations were C || y , k ⊥ C , xy || C , H ⊥k , H || y , k x =k , ky,z =0; the free charge carrier concentr...