Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells
Experimental data on degradation of photovoltaic and photoenergetic characteristics of silicon solar cells exposed by high-energy electrons and protons as well as low-energy protons have been obtained. The previously proposed theoretical model that can describe degradation of the solar cell chara...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118403 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells /V.V. Chernenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 273-275. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!