Sponge-like nanostructured silicon for integrated emitters

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2010
• Автори: Hubarevich, A., Jaguiro, P., Mukha, Y., Smirnov, A., Solovjov, Ya.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118408
• Цитувати: Sponge-like nanostructured silicon for integrated emitters / A. Hubarevich, P. Jaguiro, Y. Mukha, A. Smirnov, Ya. Solovjov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 294-297. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

A new approach to nanoporous silicon formation is proposed. Anomalies both in low current densities and low fluorine ion concentrations, which is lead to low uniformity of formed porous silicon, are under consideration. It is shown that at very low current densities and fluorine ion concentration...