Uncooled р(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterostructure-based photodetector for the far infrared spectral range
The possibility to create uncooled photodetector (PD) in the region close to l = 10 μm being based on p(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterojunction has been conceptually and practically confirmed. Design and technology of uncooled thin-film PD based on Pb Sn Se₁₋x p -n(CdSe) heterojunction in which broad-...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118429 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Uncooled р(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterostructure-based photodetector for the far infrared spectral range / Ya.I. Lepikh, I.A. Ivanchenko, L.M. Budiyanskaya // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 408-411. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |