Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇

Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇

Исследовано влияние высокого гидростатического давления на электросопротивление в ab-плоскости монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋δ c недостатком кислорода. Установлено, что температурная зависимость электрического сопротивления определяется флуктуационной проводимостью вблизи Тс и рассеянием электронов на фо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Хаджай, Г.Я., Вовк, Р.В., Вовк, Н.Р.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Электронные свойства проводящих систем
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118463
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇ / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк, Н.Р. Вовк // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 6. — С. 684–689. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118463
record_format dspace
spelling irk-123456789-1184632017-05-31T03:08:12Z Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇ Хаджай, Г.Я. Вовк, Р.В. Вовк, Н.Р. Электронные свойства проводящих систем Исследовано влияние высокого гидростатического давления на электросопротивление в ab-плоскости монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋δ c недостатком кислорода. Установлено, что температурная зависимость электрического сопротивления определяется флуктуационной проводимостью вблизи Тс и рассеянием электронов на фононах в нормальном состоянии. Высокое давление вызывает перераспределение лабильного кислорода, приводящее к усилению фазового расслоения. Снятие давления сопровождается процессами релаксации как в фононной, так и в электронной подсистемах, характерные времена которых значительно отличаются друг от друга. Досліджено вплив високого гідростатичного тиску на електроопір в ab-площині монокристалів YBa₂Cu₃O₇₋δ з нестачею кисню. Встановлено, що температурна залежність електричного опору визначається флуктуаційною провідністю поблизу Тс і розсіюванням електронів на фононах в нормальному стані. Високий тиск викликає перерозподіл лабільного кисню, що призводить до посилення фазового розшарування. Зняття тиску супроводжується процесами релаксації як у фононній, так в електронній підсистемах, характерні терміни яких значно відрізняються один від одного. The influence of high hydrostatic pressure on elec-trical resistance in the ab plane of YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals with oxygen deficiency was investigated. It is found that the temperature dependence of the electrical resistance is determined by fluctuation conductivity near Tc, and by electron–phonon scattering in the normal state. High pressure causes redistribution of labile oxygen, resulting in an increased phase separation. The removal of pressure is accompanied by relaxation processes in the phonon and electron subsystems. Their relaxation time scales are significantly different from each other. 2013 Article Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇ / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк, Н.Р. Вовк // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 6. — С. 684–689. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.72.–h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118463 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
spellingShingle Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
Вовк, Н.Р.
Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
Физика низких температур
description Исследовано влияние высокого гидростатического давления на электросопротивление в ab-плоскости монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋δ c недостатком кислорода. Установлено, что температурная зависимость электрического сопротивления определяется флуктуационной проводимостью вблизи Тс и рассеянием электронов на фононах в нормальном состоянии. Высокое давление вызывает перераспределение лабильного кислорода, приводящее к усилению фазового расслоения. Снятие давления сопровождается процессами релаксации как в фононной, так и в электронной подсистемах, характерные времена которых значительно отличаются друг от друга.
format Article
author Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
Вовк, Н.Р.
author_facet Хаджай, Г.Я.
Вовк, Р.В.
Вовк, Н.Р.
author_sort Хаджай, Г.Я.
title Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
title_short Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
title_full Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
title_fullStr Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
title_full_unstemmed Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇
title_sort индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов yba₂cu₃o₇
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2013
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118463
citation_txt Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇ / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк, Н.Р. Вовк // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 6. — С. 684–689. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT hadžajgâ inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektrosoprotivleniâmonokristallovyba2cu3o7
AT vovkrv inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektrosoprotivleniâmonokristallovyba2cu3o7
AT vovknr inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektrosoprotivleniâmonokristallovyba2cu3o7
first_indexed 2023-10-18T20:32:20Z
last_indexed 2023-10-18T20:32:20Z
_version_ 1796150466300608512

Схожі ресурси