Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре

• Дата: 2011
• Автори: Николаенко, В.А., Смородин, А.В., Соколов, С.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кристаллы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118486
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.

Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента.