Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре

Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости элект...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Николаенко, В.А., Смородин, А.В., Соколов, С.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Квантовые жидкости и квантовые кристаллы
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118486
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-118486
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1184862017-05-31T03:02:52Z Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. Квантовые жидкости и квантовые кристаллы Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента. Проведено експериментальні дослідження рухливості поверхневих електронів у квазиодновимірних провідних каналах над рідким гелієм при температурах 1,5–3 К. Встановлено, що при T > 2 К рухливість сильно зменшується щодо значень, що відповідають кінетичному режиму провідності електронів. Таке поводження рухливості може бути пояснено утворенням автолокалізованого стану електрона в щільному гелієвому парі, що супроводжується утворенням навколо електрона макроскопічної області з неоднорідним розподілом щільності газу. Теоретичні оцінки температури утворення автолокалізованого стану, що засновані на аналізі умов появи мінімуму вільної енергії системи, дають значення, які близькі до результатів експерименту. The experimental study of surface electron mobility in quasi-one-dimensional conducting channels over liquid helium is carried out in a temperature range of 1.5–3 K. It is found that the mobility decreases strongly, at T > 2 K, as compared to that in the kinetic regime of electron conductivity. This behavior can be attributed to the formation of an autolocalized electron state in dense helium vapor that is accompanied by the appearance of macroscopic regions with nonuniform distribution of vapor density. Theoretical estimation of the temperature of autolocalized state formation based on the analysis of conditions for the occurrence of a free energy minimum in the system, gives the values close to the experimental ones. 2011 Article Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.–r, 73.25.+i, 73.90.+f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118486 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Квантовые жидкости и квантовые кристаллы Квантовые жидкости и квантовые кристаллы
spellingShingle	Квантовые жидкости и квантовые кристаллы Квантовые жидкости и квантовые кристаллы Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре Физика низких температур
description	Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента.
format	Article
author	Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С.
author_facet	Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С.
author_sort	Николаенко, В.А.
title	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
title_short	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
title_full	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
title_fullStr	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
title_full_unstemmed	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
title_sort	возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2011
topic_facet	Квантовые жидкости и квантовые кристаллы
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118486
citation_txt	Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT nikolaenkova vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare AT smorodinav vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare AT sokolovss vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare
first_indexed	2023-10-18T20:32:10Z
last_indexed	2023-10-18T20:32:10Z
_version_	1796150457899417600

Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре

Репозитарії

Схожі ресурси