Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

A mathematical model of the construction of silicon photodiode based on epitaxial structure enabling to regulate the absorption edge of silicon in the long-wave spectral range is presented. The suggested model allows calculating the construction that possesses low sensitivity for the wavelengths...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Dobrovolskyi, Yu., Pidkamin, L., Brus, V., Kuzenko, V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118492
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm / Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 256-259. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:A mathematical model of the construction of silicon photodiode based on epitaxial structure enabling to regulate the absorption edge of silicon in the long-wave spectral range is presented. The suggested model allows calculating the construction that possesses low sensitivity for the wavelengths larger than 600 nm and maximal values near the wavelength 254 nm.