Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках

Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Аверкиев, Н.С., Рожанский, И.В., Тарасенко, С.А., Лифшиц, М.Б.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118519
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-118519
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1185192017-05-31T03:05:49Z Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния в другое, которое характеризуется другой проекцией углового момента. Эффект обусловлен расщеплением вырожденного в отсутствие возмущения основного состояния дырки под действием упругой деформации. Детальный микроскопический расчет эффекта акустического переключения квантово-механических состояний проведен для дырок, локализованных в квантовой точке или на мелкой примеси акцепторного типа в квантовой яме. Продемонстрировано, что амплитуда акустического солитона, необходимая для полного переворота проекции углового момента дырки, соответствует амплитуде характерных импульсов деформации, создаваемых в экспериментах. Теоретично досліджено взаємодію відокремленого імпульсу пружної деформації (акустичного солітона) з локалізованими дірками в низькорозмірних структурах на основі кремнію. Показано, що проходження солітона через область локалізації дірки переводить її з одного квантово-механічного стану в інше, яке характеризується іншою проекцією кутового моменту. Ефект обумовлений розщепленням виродженого у відсутності збурювання основного стану дірки під дією пружної деформації. Детальний мікроскопічний розрахунок ефекту акустичного перемикання квантово-механічних станів проведено для дірок, локалізованих у квантовій точці або на дрібній домішці акцепторного типу у квантовій ямі. Продемонстровано, що амплітуда акустичного солітона, яка необхідна для повного перевороту проекції кутового моменту дірки, відповідає амплітуді характерних імпульсів деформації, що створюються в експериментах. The interaction between solitary strain pulse (acoustic soliton) and localized holes in silicon-based nanostructures is studied theoretically. It is shown that the acoustic soliton propagating through the hole localization area changes the hole state to that with a different projection of angular momentum. The microscopic mechanism of the effect is related to the valence band splitting by local elastic strain. We have studied such a state conversion for holes in a quantum dot or localized at acceptors in a quantum well. It is shown that the strain amplitude required for the complete switching of the hole state corresponds to strain pulses studied experimentally. 2011 Article Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.hb, 63.20.K–, 78.67.De http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118519 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках Физика низких температур
description	Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния в другое, которое характеризуется другой проекцией углового момента. Эффект обусловлен расщеплением вырожденного в отсутствие возмущения основного состояния дырки под действием упругой деформации. Детальный микроскопический расчет эффекта акустического переключения квантово-механических состояний проведен для дырок, локализованных в квантовой точке или на мелкой примеси акцепторного типа в квантовой яме. Продемонстрировано, что амплитуда акустического солитона, необходимая для полного переворота проекции углового момента дырки, соответствует амплитуде характерных импульсов деформации, создаваемых в экспериментах.
format	Article
author	Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б.
author_facet	Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б.
author_sort	Аверкиев, Н.С.
title	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
title_short	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
title_full	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
title_fullStr	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
title_full_unstemmed	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
title_sort	акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2011
topic_facet	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118519
citation_txt	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT averkievns akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoânijvpoluprovodnikah AT rožanskijiv akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoânijvpoluprovodnikah AT tarasenkosa akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoânijvpoluprovodnikah AT lifšicmb akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoânijvpoluprovodnikah
first_indexed	2023-10-18T20:32:25Z
last_indexed	2023-10-18T20:32:25Z
_version_	1796150461211869184

Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках

Репозитарії

Схожі ресурси