Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома

Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальн...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Видавець:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:	2011
Автори:	Скипетров, Е.П., Пичугин, Н.А., Слынько, Е.И., Слынько, В.Е.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118524
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-118524
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1185242017-05-31T03:08:51Z Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы. Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні й осциляційні властивості сплавів Pb1–x–ySnxСryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при варіації склада матриці й концентрації домішки хрому. Показано, що домішкові атоми хрому розчиняються в гратці в кількості не менш 1 мол.%, а подальше збільшення концентрації хрому приводить до появи мікроскопічних областей з підвищеним вмістом хрому й включень сполук хрому з телуром. Виявлено зменшення концентрації дірок, p–n-конверсія типу провідності й стабілізація рівня Фермі резонансним рівнем хрому при збільшенні вмісту хрому. Визначено початкові швидкості зміни концентрації носіїв заряду при легуванні. У рамках двозонного закону дисперсії Кейна розраховані залежності концентрації електронів і рівня Фермі від концентрації олова й запропонована діаграма перебудови електронної структури легованих хромом сплавів при зміні складу матриці. The crystal structure, composition, galvanomagnetic and oscillatory properties of the Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0, 0.05–0.30, y ≤ 0.01) alloys have been investigated with varying matrix composition and chromium impurity concentration. It is shown that the chromium impurity atoms dissolve in the crystal lattice at least up to 1 mol.%. The following increase of the chromium concentration leads to the appearance of microscopic regions enriched with chromium and inclusions of Cr–Te compounds. A decrease of the hole concentration, a p–n-conversion of the conductivity type and a pinning of the Fermi level by the chromium resonant level are observed with increasing chromium content. Initial rates of changes in the free carrier concentration on doping are determined. The dependences of electron concentration and Fermi level on tin content are calculated by the two-band Kane dispersion relation. A diagram of electronic structure rearrangement for the chromium-doped alloys with varying the matrix composition is proposed. 2011 Article Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 71.55.–i, 72.20.My, 75.50.Pp http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118524 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома Физика низких температур
description	Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы.
format	Article
author	Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е.
author_facet	Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е.
author_sort	Скипетров, Е.П.
title	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
title_short	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
title_full	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
title_fullStr	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
title_full_unstemmed	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
title_sort	электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2011
topic_facet	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118524
citation_txt	Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT skipetrovep élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT pičuginna élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT slynʹkoei élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT slynʹkove élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma
first_indexed	2023-10-18T20:32:26Z
last_indexed	2023-10-18T20:32:26Z
_version_	1796150461641785344

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома

Репозиторії

Схожі ресурси