Оптика полупроводников с линейным электронным спектром

Рассмотрена частотная дисперсия диэлектрической проницаемости графена и 3D полупроводников с узкой запрещенной зоной в области частот, бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости, в зависимости от температуры и концентрации носителей. Линейность элект...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2011
Автор: Фальковский, Л.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118581
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Оптика полупроводников с линейным электронным спектром / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 6. — С. 603–608. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118581
record_format dspace
spelling irk-123456789-1185812017-05-31T03:05:35Z Оптика полупроводников с линейным электронным спектром Фальковский, Л.А. Электронные свойства проводящих систем Рассмотрена частотная дисперсия диэлектрической проницаемости графена и 3D полупроводников с узкой запрещенной зоной в области частот, бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости, в зависимости от температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области, общая черта этих материалов, приводит к аномально большой величине диэлектрической постоянной 3D полупроводников, а при их легировании к логарифмической сингулярности на пороге поглощения у вещественной части диэлектрической функции. Для графена коэффициент прохождения света в оптической области определяется постоянной тонкой структуры квантовой электродинамики и не зависит от каких-либо свойств самого графена. Розглянуто частотну дисперсію діелектричної проникності графена та 3D напівпровідників з вузькою забороненою зоною в області частот, які більші, ніж частота релаксації носіїв, але малі в порівнянні з шириною зони провідності, залежно від температури та концентрації носіїв. Лінійність електронного спектра в широкій енергетичній області, загальна риса цих матеріалів, призводить до аномально великої величини діелектричної постійної 3D напівпровідників, а при їх легуванні — до логарифмічної сингулярності на порозі поглинання у дійсній частині діелектричної функції. Для графена коефіцієнт проходження світла в оптичній області визначається постійною тонкої структури квантової електродинаміки та не залежить від яких-небудь властивостей самого графена. The temperature and carrier concentration dependences of frequency dispersion of dielectric constant for graphene and 3D semiconductors with a narrow forbidden band are studied in the region of frequencies, which are higher than that of carrier relaxation but lower than conduction band width. The linearity of electronic spectrum in a wide energy range (the common feature of these materials) results in an abnormally high dielectric constant of 3D semiconductors and, for their doping, in a logarithmic singularity at the absorption threshold of a real part of the dielectric function. For graphene the light transmissivity in the optical region is determined by the constant of quantum electrodynamics fine structure and is independent of any property of graphene. 2011 Article Оптика полупроводников с линейным электронным спектром / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 6. — С. 603–608. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 78.20.Ci, 78.20.Bh http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118581 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
spellingShingle Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
Фальковский, Л.А.
Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
Физика низких температур
description Рассмотрена частотная дисперсия диэлектрической проницаемости графена и 3D полупроводников с узкой запрещенной зоной в области частот, бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости, в зависимости от температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области, общая черта этих материалов, приводит к аномально большой величине диэлектрической постоянной 3D полупроводников, а при их легировании к логарифмической сингулярности на пороге поглощения у вещественной части диэлектрической функции. Для графена коэффициент прохождения света в оптической области определяется постоянной тонкой структуры квантовой электродинамики и не зависит от каких-либо свойств самого графена.
format Article
author Фальковский, Л.А.
author_facet Фальковский, Л.А.
author_sort Фальковский, Л.А.
title Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
title_short Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
title_full Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
title_fullStr Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
title_full_unstemmed Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
title_sort оптика полупроводников с линейным электронным спектром
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2011
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118581
citation_txt Оптика полупроводников с линейным электронным спектром / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 6. — С. 603–608. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT falʹkovskijla optikapoluprovodnikovslinejnymélektronnymspektrom
first_indexed 2023-10-18T20:32:33Z
last_indexed 2023-10-18T20:32:33Z
_version_ 1796150472676999168