Влияние магнитного поля на магнитное фазовое расслоение в анион-дефицитном манганите La₀.₇₀Sr₀.₃₀MnO₂.₈₅
Выполнены измерения температурной зависимости удельного магнитного момента в анион-дефицитном манганите La₀.₇₀Sr₀.₃₀MnO₂.₈₅ в зависимости от предыстории в интервале внешних магнитных полей 0–140 кЭ. Неоднородное магнитное состояние представляет собой кластерное спиновое стекло и является результатом...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118595 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние магнитного поля на магнитное фазовое расслоение в анион-дефицитном манганите La₀.₇₀Sr₀.₃₀MnO₂.₈₅ / С.В. Труханов, А.В. Труханов, H. Szymczak // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 6. — С. 585–590. — Бібліогр.: 42 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Выполнены измерения температурной зависимости удельного магнитного момента в анион-дефицитном манганите La₀.₇₀Sr₀.₃₀MnO₂.₈₅ в зависимости от предыстории в интервале внешних магнитных полей 0–140 кЭ. Неоднородное магнитное состояние представляет собой кластерное спиновое стекло и является результатом перераспределения вакансий кислорода. Увеличение внешнего магнитного поля вначале (H < 10 кЭ) приводит к дроблению ферромагнитных кластеров, а затем (H ≥ 10 кЭ) — к переходу в ферромагнитное состояние антиферромагнитной матрицы и увеличению степени поляризации локальных спинов марганца. Температура замерзания магнитных моментов изменяется по закону Tf = 65–6H⁰.²¹, в то время как температура расходимости ZFC- и FC-кривых изменяется по закону Trev = 250–90H⁰.¹¹. Обсуждаются причина и механизм формирования магнитного фазового расслоения. |
---|