Подавление сверхпроводимости сильным магнитным полем в гетероструктурах PbTe/PbS cо сверхпроводящим интерфейсом

• Дата: 2013
• Автори: Бенгус, С.В., Сипатов, A.Ю., Юзефович, O.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Сверхпроводимость, в том числе высокотемпературная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118650
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Подавление сверхпроводимости сильным магнитным полем в гетероструктурах PbTe/PbS cо сверхпроводящим интерфейсом / С.В. Бенгус, A.Ю. Сипатов, O.И. Юзефович // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 8. — С. 896–903. — Бібліогр.: 57 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование влияния сильного магнитного поля на сверхпроводимость гетероструктур PbTe/PbS с полупроводниковыми слоями разной толщины. Проводимость металлического типа и сверхпроводимость (критическая температура Тс ≤ 6,5 К) гетероструктур PbTe/PbS обусловлены инверсией зон вдоль непрерывной сетки дислокаций несоответствия, возникающей на интерфейсе между слоями полупроводников достаточной толщины (d > 80 нм). При уменьшении d непрерывность сверх-проводящего интерфейса нарушается, Тс понижается, а металлический характер проводимости переходит в полупроводниковый. Установлено, что нарушение сплошности сверхпроводящего интерфейса является необходимым условием наблюдения индуцированного магнитным полем перехода сверхпроводник–изолятор (superconductor–insulator transition — SIT) и существенно влияет на его характеристики: веерный набор резистивных кривых R(T), пересечение кривых R(B) как в перпендикулярном, так и в параллельном к интерфейсу магнитном поле, а также отрицательное магнитосопротивление. Для таких образцов скейлинговый анализ выполнен в рамках теоретической модели Фишера. В гетероструктурах с совершенным интерфейсом признаков SIT не обнаружено. Сделан предварительный вывод, что природа SIT в данном случае связана с перколяционными явлениями, присущими гранулированным сверхпроводникам.