Electrical properties of fast cooled inse single crystals
Influence of fast cooling on electrical properties of n-InSe single crystals is investigated for an ingot grown by the Bridgman method. Electrical characteristics and their anisotropy are investigated in the temperature range 80 to 410 K. It is found that fast cooling, as soon as crystallization...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118658 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical properties of fast cooled inse single crystals / A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 54-58. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |