Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118667 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |