High-frequency properties of systems with drifting electrons and polar optical phonons
An analysis of interaction between drifting electrons and optical phonons in semiconductors is presented. Three physical systems are studied: three-dimensional electron gas (3DEG) in bulk material; two-dimensional electron gas (2DEG) in a quantum well, and two-dimensional electron gas in a quantu...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118668 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | High-frequency properties of systems with drifting electrons and polar optical phonons / S.M. Kukhtaruk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 43-49. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |