Domain structure formation by using Scanning Probe Microscopy: equilibrium polarization distribution and effective piezoelectric response calculations

• Дата: 2009
• Автори: Morozovska, A.N., Svechnikov, G.S., Shishkin, E.I., Shur, V.Y.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118683
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Domain structure formation by using Scanning Probe Microscopy: equilibrium polarization distribution and effective piezoelectric response calculations / A.N. Morozovska, G.S. Svechnikov, E.I. Shishkin, V.Y. Shur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 116-124. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

In the paper we adopt the analytical Landau-Ginzburg-Devonshire theory to describe the ferroelectric domain structure formation using Scanning Probe Microscopy. We calculate the effective local piezoresponse of the domain structure within the decoupling approximation using the conventional relati...