X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E tend to linearity (α = 1) at low dos...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118727 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals / S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, D.T. Guseinov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 358-359. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and
CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the
crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E
tend to linearity (α = 1) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, α tends to 0.5,
which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated
by X-rays in CdGa₂S₄<Cu>. |
|---|