A theoretical model for exciton binding energies in rectangular and parabolic spherical finite quantum dots
. Using the variational method in real space and the effective-mass theory, we present quite an advanced semi-analytic approach susceptible for calculating the binding energy Eb of Wannier excitons in semiconductor quantum dot structures with rectangular and parabolic shapes of the confining pote...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2012 |
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118728 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | A theoretical model for exciton binding energies in rectangular and parabolic spherical finite quantum dots / A. Taqi, J. Diouri // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 365-369. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | . Using the variational method in real space and the effective-mass theory, we
present quite an advanced semi-analytic approach susceptible for calculating the binding
energy Eb of Wannier excitons in semiconductor quantum dot structures with rectangular
and parabolic shapes of the confining potential in the so-called strong-confinement
regime. Illustration is given for CdS, ZnSe, CdSe, GaAs structures of crystallites for both
rectangular and parabolic quantum dots, and it displays a very good agreement between
the experimental and theoretical results reported in literature. |
---|