Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое

Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2011
Автор: Фальковский, Л.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118780
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1022–1026. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-118780
record_format dspace
spelling irk-123456789-1187802017-06-01T03:04:07Z Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое Фальковский, Л.А. Низкоразмерные структуры Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе. Розглянуто осциляції забороненої щілини, хімічного потенціалу й концентрації носіїв на графеновому бішарі у квазікласичному магнітному й поперечному електричному полі, яке створюється напругою на затворі. The oscillations of forbidden gap, chemical potential and carrier concentration on a graphene bilayer at a quasi-classical magnetic field and a transverse electrical one produced by gate voltage are considered. 2011 Article Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1022–1026. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.At, 73.21.Ac, 73.43.–f, 81.05.U– http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118780 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Низкоразмерные структуры
Низкоразмерные структуры
spellingShingle Низкоразмерные структуры
Низкоразмерные структуры
Фальковский, Л.А.
Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
Физика низких температур
description Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе.
format Article
author Фальковский, Л.А.
author_facet Фальковский, Л.А.
author_sort Фальковский, Л.А.
title Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
title_short Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
title_full Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
title_fullStr Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
title_full_unstemmed Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
title_sort квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2011
topic_facet Низкоразмерные структуры
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118780
citation_txt Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1022–1026. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT falʹkovskijla kvantovyeoscillâciivperestraivaemomgrafenovombisloe
first_indexed 2023-10-18T20:32:59Z
last_indexed 2023-10-18T20:32:59Z
_version_ 1796150490757595136