2025-02-23T11:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-118813%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-118813%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:08:42-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Поляронное состояние поверхностных электронов над гелием, покрывающим cтруктурированную подложку
В температурном интервале 1,5–2,7 К экспериментально исследована проводимость поверхностных электронов над пленкой жидкого гелия, которая покрывает структурированную подложку из кремния, содержащую регулярную систему микропор. Установлено, что в области T ≥ 2,5 К проводимость резко падает, что можно...
Saved in:
Main Authors: | , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
Series: | Физика низких температур |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118813 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | В температурном интервале 1,5–2,7 К экспериментально исследована проводимость поверхностных электронов над пленкой жидкого гелия, которая покрывает структурированную подложку из кремния, содержащую регулярную систему микропор. Установлено, что в области T ≥ 2,5 К проводимость резко падает, что можно объяснить образованием автолокализованного поляронного состояния электрона над гелиевой пленкой. Для проверки предположения о возникновении поляронного состояния поверхностно-го электрона в плотном паре гелия проведен расчет свободной энергии полярона, минимум которой по-является при повышении температуры до некоторого критического значения, а зависимость от прижимающего поля находится в качественном согласии с экспериментальными данными по температуре резкого падения проводимости. Расчет предсказывает зависимость критической температуры от пара-метров потенциала, действующего в плоскости поверхности гелия и связанного с искажением формы поверхности гелия из-за структуры подложки, что способствует появлению локализованного заряда над пленкой гелия. |
---|