Photothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiation
The analysis of photothermal conversion in materials with modified properties of surface layer was made in this work. Influence of both physical and geometrical nonlinearities on the process of heat distribution was estimated.
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118844 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiation / R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 403-405. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |