Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)
The effect of photons trapped at the LED side due to total internal reflection on the transient behavior of an Optoelectronic Integrated Device (OEID) is considered in this paper. The device is composed of a Heterojunction Phototransistor (HPT) and a Light Emitting Diode (LED). The expressions de...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118870 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID) / Sh.M. Eladl // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 255-259. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |