Mapping between two models of etching process
We consider two models for the etching processes using numerical simulations based on cellular-automata discrete-lattice approach. In one model we use a uniform etching probability for each surface site. In another model the etching probability at a given site depends on the local environment of t...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
---|---|
Дата: | 2007 |
Автори: | Patsahan, T., Taleb, A., Stafiej, J., Badiali, J.-P. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2007
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118950 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Mapping between two models of etching process / T. Patsahan, A. Taleb, J. Stafiej, J.-P. Badiali // Condensed Matter Physics. — 2007. — Т. 10, № 4(52). — С. 579-585. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Stochastic simulation of destruction processes in self-irradiated materials
за авторством: Patsahan, T., та інші
Опубліковано: (2017) -
Numerical simulations of corrosion processes. Properties of the corrosion front and formation of islands
за авторством: Vautrin-Ul, C., та інші
Опубліковано: (2004) -
The concept of entropy. Relation between action and entropy
за авторством: Badiali, J.-P.
Опубліковано: (2005) -
Modeling of information recording and selective etching processes in inorganic resists
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Influence of intensive etching processes on structure and properties of carbon nitride films
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)